[µ¥ÀÌÅͳÝ] ¹ÝµµÃ¼ ¹× ÀüÀÚºÎÇ° ±Û·Î¹ú À¯Åë±â¾÷ ¸¶¿ìÀúÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º´Â TI(Texas Instruments)ÀÇ LMG1210 200V ÇÏÇÁ ºê¸®Áö MOSFET ¹× GaN FET µå¶óÀ̹ö¸¦ °ø±ÞÇÑ´Ù°í ¹àÇû´Ù.
TI°¡ »ý»êÇÏ´Â ¾÷°è ÃÖ°íÀÇ GaN(ÁúÈ°¥·ý) Àü·Â Æ÷Æ®Æú¸®¿À Á¦Ç°±º¿¡ ¼ÓÇÏ´Â LMG1210Àº ±âÁ¸ ½Ç¸®ÄÜ ±â¹ÝÀÇ ¼ÒÀڵ麸´Ù ³ôÀº È¿À², Àü·Â ¹Ðµµ Çâ»ó, Àüü ½Ã½ºÅÛ Å©±â Ãà¼Ò µî ÀåÁ¡À» °®ÃèÀ¸¸ç, ¼Óµµ°¡ ÇʼöÀÎ Àü·Â º¯È¯ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ ¸Â°Ô ÃÖÀûȵŠ»ý»êµÈ´Ù.
¸¶¿ìÀú°¡ °ø±ÞÇÏ´Â TIÀÇ LMG1210Àº 50MHz ÇÏÇÁ ºê¸®Áö µå¶óÀ̹ö·Î, ÃÖ´ë 200V Áõ°¡ ¸ðµå GaN FET°ú ÇÔ²² ÀÛµ¿Çϵµ·Ï ¼³°èµÆ´Ù. ÃÖ´ë ¼º´É°ú °íÈ¿À² ÀÛµ¿¿¡ ¸Â°Ô °³¹ßµÅ 10ns ÃÊÀúÀüÆÄ Áö¿¬ ½Ã°£À» Á¦°øÇØ ±âÁ¸ ½Ç¸®ÄÜ ÇÏÇÁ ºê¸®Áö µå¶óÀ̹öº¸´Ù ºü¸£°Ô ÀÛµ¿ÇÑ´Ù.
¶ÇÇÑ 1pFÀÇ ³·Àº ½ºÀ§Ä¡ ³ëµå Á¤Àü¿ë·®°ú ÇÔ²² »ç¿ëÀÚ°¡ Á¶Á¤ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ºÒ°¨ ½Ã°£ Á¦¾î ±â´Éµµ °®Ãç ½Ã½ºÅÛ ¼³°è ½Ã ºÒ°¨ ½Ã°£À» ÃÖÀûÈÇÒ ¼ö ÀÖ¾î È¿À² Çâ»ó¿¡ µµ¿òÀÌ µÈ´Ù.
TIÀÇ LMG1210Àº ÇÏÀÌ »çÀ̵å-·Î¿ì »çÀ̵å Áö¿¬ Á¤ÇÕ ½Ã°£ 3.4ns, ÃÖ¼Ò ÆÞ½º Æø 4ns, ³»ºÎ LDO ÀåÄ¡¸¦ °®Ãç °ø±Þ Àü¾Ð¿¡ °ü°è ¾øÀÌ 5V °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê Àü¾ÐÀ» Á¦°øÇÑ´Ù. ÀÌ µå¶óÀ̹ö´Â ¶ÇÇÑ CMTI(°øÅë ¸ðµå °úµµÀÀ´ä ³»¼º)°¡ ¾÷°è ÃÖ°í ¼öÁØÀÎ 300V/ns ÀÌ»óÀ¸·Î ³ôÀº ½Ã½ºÅÛ ÀâÀ½ ³»¼ºÀ» ½ÇÇöÇÑ´Ù.
ÇÑÆí TIÀÇ LMG1210 µå¶óÀ̹ö´Â °í¼Ó DC/DC º¯È¯±â, ¸ðÅÍ Á¦¾î, Ŭ·¡½º-D ¿Àµð¿À ÁõÆø±â, Ŭ·¡½º-E ¹«¼± ÃæÀü, RF ¿£º§·ÎÇÁ ÃßÀû, ±âŸ Àü·Â º¯È¯ ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç µî ´Ù¾çÇÑ ºÐ¾ß¿¡ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÀÌ»óÀûÀÎ ¼ÒÀÚ´Ù. |